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低功耗纳米气敏元件的制备方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明属于一种低功耗纳米气敏元件的制备方法,纳米材料以SnO_2为基础材料,制备过程是氨水进入溶液中与Sn^(4+)反应生成氧化物锡晶核,28~35℃的温度下生长、搅拌,然后依次加入双氧水和环乙烷,再加入氨水并控制溶液的PH=7~9,制成氧化锡沉淀,经过陈化,过滤,烘干,研细,再将其在高温煅烧1.5~2.5h,获得SnO_2超细粉末;将SnO_2和添加剂Al_2O_3、Pd、InO,充分混...
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