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砷化镓材料相关特征参数的无损直接测量方法和轻掺铬复合补偿特性的研究

1998年

应用技术

成果简介

该成果主要用于表征大规模集成电路用的SI-GAAS材料的内在质量，可提供半导体在线工艺过程中实际使用的薄GAAS晶片中C和EL2浓度及其径向分布的参数，为进行GAAS材料的质量优化及材料与器件性能的关系研究提供了有力手段。该成果采用FI－IR光谱技术和近红外小光阑直接限光技术对SI-GAAS薄片（0.5MM）进行C和EL2浓度的测量，测量精度高，方法有创新。该成果还研究了C、CR、EL2的...

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