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MgCdTe和Ⅲ－Ⅴ族半导体材料中若干杂质对其结构电磁学和光学性质的影响

2005年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
碲镉汞作为重要的红外探测器材料无论是在军工还是民用上都受到广泛的重视。碲镉汞材料具有及其丰富复杂的缺陷以及杂质行为。这些缺陷及杂质行为在很大程度上制约着碲镉汞红外探测器的性能改善。本项目将开展窄带半导体材料第一性原理计算，以求保证模型提出具有实际的引用指向。
其主要研究方向：
1、建立构造适合于MgCdTe和Ⅲ－Ⅴ族半导体杂质和缺陷的模型结构。
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