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直径φ6英寸半绝缘砷化镓单晶晶片制备技术研究

2005年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
1.研制目的
本项目的研究目的是：突破φ6英寸半绝缘砷化镓单晶生长关键工艺技术，完成晶片精细加工工作，达到“开盒即用”水平，形成φ6英寸半绝缘砷化镓单晶材料批量化研制生产能力，完成主要分析测试技术的研究。
2.成果特点
本项目研制过程中，通过热场设计技术研究，晶体化学计量比精确控制技术研究，降低6英寸砷化镓单晶位错密度的研究，改善...
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