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高迁移率GaAs外延片制备的研究

1994年 应用技术
  • 成果简介
　　采用液相外延过饱合降温生长的方法，在生长有源外延层之前先生长一层高阻无掺杂的缓冲层，生长前对系统进高温烘烤，衬底回熔外延片退火，控制氢气流量，石墨舟选用高纯度材料加工，并在用前严格清洁处理制品的外延层，载流子迁移率M＞400平方厘米/VS，外延层厚3-8μM，掺杂浓度N:10的15次方。...
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