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一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该晶体的生长方法

2016年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及碘化汞（α-HgI2）单晶体生长技术领域，具体指一种生长碘化汞（HgI2）单晶体立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法。本发明为解决现有技术存在的温控系统复杂、生产成本高、需要籽晶及加工造成的单晶体损伤较大的问题，现采用的技术方案是：一种生长碘化汞单晶体的立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法，在炉体底板上依次套设筒状的石英真空保温层和炉膛，并用隔热圈将炉膛与石英真空保温层之...
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