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高压、超低功耗功率MOS器件新结构及模式

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
功率MOS器件是功率半导体的主力器件,LDMOS是功率集成中的主要功率单位。功率LDMOS的关键是实现高压和低导通电阻。然而,对常规LDMOS器件,随着击穿电压BV的升高,比导通电阻Ron,sp按照“硅极限”的关系增加。因此,优化功率LDMOS的击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系,对于降低能源损失提高利用效率具有重要意义。
本项目提出一种高压MOS“积累型”输运模式与一...
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