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氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法

2014年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

本发明公开了一种用氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方
法，包括沟槽型的多晶硅栅极、栅氧化层及栅氧化层两侧的p-Well区，p-Well
区内设置有n⁺源区；多晶硅栅极的正下方设有扩展沟槽，槽内有填充氧化物；
在填充氧化物的两侧、两个p-Well区的正下方依次设置有两个相同宽度的n
柱区与两个相同宽度的p柱区。两侧的n...

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