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能消除干扰的相变存储器单元结构及形成的相变存储器

2013年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明涉及一种消除读写时未被选中的相变存储单元的干扰的相变存储器单元结构。该存储单元结构以1T1R结构的相变存储单元为基础，在相变存储电阻两端并联一个NMOS晶体管，当位线信号升高时，通过与相变电阻并联的NMOS晶体管导通，从而使相变电阻两端的电压相等。从而达到消除干扰的目的。...

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