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大直径重掺硅单晶中微缺陷的控制机理研究

2008年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
在微波晶体管和超大规模集成电路的研制、生产中,已经越来越多地采用在重掺衬底上外延薄层材料,如N/N+与P/P+外延结构。采用这种结构与IG工艺相结合,能够大大提高动态存储器DRAM的记忆保持时间,是解决电路中闩锁效应(Latch-up)和α粒子引起的软失效(Soft-error)的最佳途径。当集成电路发展到甚大规模(ULSI),电路特征线宽缩小到亚微米、深亚微米级时,任何与电路线宽相近的微...
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