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一种相变薄膜材料纳米线的制备方法

2008年

应用技术

中期阶段

成果简介

硫系化合物随机存储器（C-RAM）用的硫系化合物纳米线的制备方法，属于微电子领域。本发明特征在于在100nm取向的Si片上，先后用蒸发方法沉积20-100nm的TiO2和100-300nm的W；接着在衬底冷却的条件下磁控溅射约为50-300nm的硫系化合物；最后在气压为0.5-1Pa氮气或氩气保护下对薄膜进行快速热处理。升温速率为10-20℃/s，保温时间为300-1500s，退火温度在1...

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