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电子回旋共振等离子体化学气相淀积氮化硅薄膜的方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　本发明公开了一种用于集成电路钝化层的氮化硅薄膜的低温制造方法，该氮化硅薄膜生长在位于淀积室中的衬底上。其过程包括：将衬底清洗后放在工艺室中；对工艺室抽真空并设定工艺条件；将硅源气体与氮化源气体先混合后通入工艺室，利用电子回旋共振效应吸收的微波源能量对混合后的硅源气体和氮化源气体进行电离分解，并将电离分解后所产生的活性带电粒子通过永磁磁场的作用输运到衬底表面，在衬底上淀积氮化硅薄膜，该工艺条件是...
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