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立方相氮化镓发光材料和器件

2000年 基础理论
  • 成果简介
　新型半导体材料的研究和突破，常常导致新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓为代表的第三代半导体材料，是继第一代半导体材料（以硅基半导体为代表）和第二代半导体材料（以砷化镓和磷化铟为代表）之后，在近十年发展起来的新型宽禁带半导体材料。它将在光显示、光存储、光照明等领域有广阔的应用前景。在未来十年里，氮化镓材料将成为市场增幅最快的半导体材料，到2006年将达到30亿美元的产值，占化合物半导体市场...
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