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棒状多晶GaN二步制备技术

2003年 应用技术
  • 成果简介
该棒状多晶GaN二步制备技术包括以下步骤：1.采用热浴法用清洗液清洗衬底；2.将清洗后的衬底放入热蒸发装置的衬底托上，将镓源放在热蒸发装置的石英坩埚内，热蒸发装置抽真空到1×10^(-3)Pa～1Pa，加热，使衬底温度升到600～800℃，镓源温度升到600～900℃，热蒸发金属镓，使镓原子均匀分布在衬底表面；3.将步骤2所得沉各了金属镓层的衬底放入氨气氮化装置的加热炉中，在常压或真空下，升温到8...
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