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碲镉汞材料p-n结结深的测量方法

2005年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种碲镉汞材料p-n结结深的测量方法，该方法包括样品的腐蚀，导电类型的测量和台阶高度的测量。其步骤是：利用腐蚀液对碲镉汞样品逐次腐蚀，逐层剥离，每腐蚀一次便进行一次导电类型的测量，导电类型的测量采用温差电动势法。它是根据p型半导体的温差电动势的方向与n型的相反的原理来判断腐蚀是否到p-n结的位置，然后利用台阶仪测量p-n结的结深。本发明的优点是：无需多次制备电极，测量方法简单，...
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