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锑化铟单晶体

2002年 应用技术
  • 成果简介
锑化铟是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。该所研制的锑化铟单晶剩余杂质少、载流子迁移率高、位错密度低、晶体完整性好。它可用于制备敏感于3-5μm红外波段的单元或多元红外探测器，也可用于制造磁敏器件。...
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