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WC2001型8MM高电子迁移率功率晶体管芯片

2002年 应用技术
  • 成果简介
WC2001型8mm高电子迁移率功率晶体管是新一代的异质结毫米波功率器件。HEMT器件利用异质结界面处的导带不连续性产生的量子势阱内二维电子气(2DEG)所具有的量子效应的载流子空间压缩效应,提高沟道内载流子的输运特点,使器件的直流和微波特性较传统的GaAs MESFET有很大的改善。因此异质结功率器件在保持频率优势的前提下,具有输出功率密度大,功率转换效率高等优点,是一种理想的毫米波功率器件。根...
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