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CVD金刚石薄膜传感器件

2004年

应用技术

成果简介

CVD金刚石、SiC等宽能带隙半导体是能在高温下使用的新型半导体材料，且抗辐射能力强、耐腐蚀性能好，被誉为发展前景十分广阔的第三代半导体材料。因此，金刚石薄膜可制成耐热、耐冲击、耐腐蚀、抗辐射、灵敏度高的压力传感器件。
首先提出以1类应力诱导2类应力变化为主线分析硼掺杂金刚石压阻效应，直接指导薄膜半导体器件的研制工艺。提出无籽晶无偏压准单晶沉积法，探索在光滑的硅衬底上沉...

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