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32×32元GaN基紫外焦平面组件研究

2005年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本项目通过展开对GaN基紫外探测器有关的材料制备，芯片工艺、器件物理、封装和测试以及可靠性等方法研究工作，着重解决背照射材料质量的提高、读出电路与互连技术。经过努力，争取道2005年底试制出32×32焦平面器件，并通过与系统匹配，实现显示成像。
主要研究内容：提高背照射结构GaN基材料的质量；优化器件参数，设计出性能良好的器件结构和可行工艺；器件工艺制作，包括GaN外延...
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