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SiGe/Si 异质结双极晶体管（HBT）

1996年

应用技术

成果简介

　　SiGe应变异质结构与超晶格是八十年代兴起的新型半导体材料，它具有独特的物理性质和重要的技术应用价值，特别是在高速器件制作方面已接近GaAs器件水平，且其工艺与硅微电子工艺技术兼容，极易集成化。因此SiGe技术被认为是“第二代硅”技术，它使硅材料进入到人工设计微结构时代，使硅器件进入到“能带工程”时代。本课题对SiGe/ Si HBT进行了物理机构分析，模拟和优化结构设计，在此基础上采用了使f...

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