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在半导体Si基片上沉积纳米Cu颗粒膜的高压电化学方法

2006年 应用技术
  • 成果简介
一种在半导体Si基片上沉积纳米颗粒Cu膜的高压电化学方法，其特征是：在常温常压下，以不含Cu离子的水溶液为初始电解质，以Cu片作阳极，以半导体Si基片作阴极，在200～2000V的高压下进行电沉积10min～2h，在半导体Si基片上获得光滑致密的纳米颗粒Cu膜。这种在半导体Si基片上沉积纳米颗粒Cu膜的电化学方法，简单可靠，反应条件易控，基片选择范围宽，成膜均匀性好，有很好的应用前景。...
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