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薄膜型锑铟(ImSb)/磁阻元件及传感器

2006年

应用技术

成果简介

我校承担的广东省“八五”攻关项目“半导体薄膜磁阻元件及传感器”，于1995年通过省级鉴定，达到国际先进水平。该磁阻元件的灵敏度比霍尔元件高10倍以上，而且可开发许多新用途。最典型的例子是用薄膜磁阻芯片制成的磁头可以检测磁迹信号，这是辨真防伪技术上的重要应用。
目前，我校是国内唯一的一家可以生产这种高灵敏度磁头的单位，半导体薄膜磁阻元件及半导体磁头已被评为一九九六年国家级...

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