首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

Si基碲镉汞外延材料（中科院）

2004年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
通过本项研究，可以获得大面积碲镉汞外延材料，并替代现在的GaAs衬底碲镉汞材料，提高目前研制的焦平面器件可靠性以及解决将来大规模焦平面技术的关键技术。获得焦平面器件进行验证，性能达到或优于现在焦平面器件水平。项目研究内容及其解决的关键技术：
1. Si/CdTe基复合外延衬底材料：包括Si衬底制备以及低温氧化层去除技术；外延层极性控制技术；大规模条件下外延生长技术； <...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统