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开管式碲镉汞外延材料热处理方法(中科院)

2004年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种开管式HgTe源碲镉汞外延材料热处理方法,热处理所需的稳定的汞蒸气压采用石墨盒的结构来提供,石墨盒也可通过改进液相外延的石墨舟来实现,开管工艺为材料的批量生产化提供了一种途径。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达100%,材料在77K温度下的空穴浓度可在5×10^(15)到5×10^(16)cm^(-3)范围内随意控制。同时,热处理过程中材料表面的位错不产生增值效应,材料...
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