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在硅衬底外延生长GaN材料（中科院）

2004年

应用技术

中期阶段

成果简介

Si衬底上生长GaN将主要采用低温AlW作缓冲层，用横向生长技术，AlGaN/GaN超晶格，多次成核的方法来减小GaN层应力和缺陷，发来新的减少应力和缺陷的方法，研究低维结构的生长技术，用X射线衍射，透视电子显微镜，Raman谱，AFM研究其微结构，用变温光荧光、光发射谱、变温Hall，光荧光瞬态谱的方法研究物性。采用制成原型器件的方法研究微结构对器件参数的影响。...

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