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用于厚膜GaN制备的HVPE设备（中科院）

2004年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本成果涉及一种用于气相沉积的水平式反应器结构设计，其特征在于在水平式反应器中采用了源气垂直喷淋供给的方式。该反应器结构由两组喷淋头、一路载气、一个样品托和一个圆形或者方形的水平腔体组成，整个反应器结构放在水平腔体内，进气（包括源气和载气）和出气口分别在水平腔体的两端，使用时反应器水平放置。由于采用垂直喷淋供气方式，使得两种反应气体在混合区很小的情况下也可以实现均匀混合，既保证了外延生长中大...
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