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纳米SOI材料关键制备工艺及产业化（中科院）

2004年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

1、在先期工作的基础上，进一步研究了高剂量离子注入的物理机理，掌握了低剂量注入形成纳米SOI的技术。通过系统研究并优化SIMOX的注入和退火工艺，解决了SIMOX材料金属沾污、顶层硅和氧化埋层缺陷密度等产业化关键技术，实现了4-6英寸SIMOX纳米材料产业化，年产能力达2万片以上。
2、掌握了氢、氦离子共注形成纳米空腔层的机理，攻克了键合等的关键技术，研制成功3-4英寸...

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