首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

功率芯片开发及产业化关键技术

2006年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
针对倒装焊型大功率LED芯片，提出并建立了设计具有优良导电散热性能、能够显著提升发光亮度的高穿透率透明导电薄膜和高反射率反光层以及包含有厚的电流扩展层的大电流、高亮度、稳定可靠、使用寿命长的功率型GaN基发光二极管芯片的技术路线。通过进行1mm×1 mm（40mil）倒装用芯片、倒装用底板以及与之相对应的光刻版设计制作，采用高熔点合金或纯金属制备倒装焊表面和底板着球表面，辅助纯金和热压超声...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统