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基于r面Al2O3衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法

2016年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
  本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的非极性a面GaN薄膜的生长方法,主要解决常规非极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是:
  (1)将r面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中,对衬底进行热处理;
  (2)在r面Al2O3衬底上生长厚度为20-200nm,温度为500-650℃的低温AlN层;
  (3)在所述低温AlN层之上生长厚度...
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