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一种制备GaN纳米线的方法

2016年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　本发明公开的一种制备GaN纳米线的方法，首先制备镓源凝胶前驱体粉末；然后将衬底清洗后放入质量浓度为2%～8%的Ni（NO3）2酒精溶液中，浸泡8～18小时，在温度为90～110℃条件下烘干备用；将前躯体粉末和烘干后的衬底放入清洁的石英舟内，将石英舟置于电阻炉的恒温区，向电阻炉内通入流量为500ml/min的氮气，然后按照升温制度进行加热，即完成在衬底上制备GaN纳米线。本发明制备GaN纳米线的...

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