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于γ面LiAlO2衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法

2016年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明公开了一种基于γ面LiAlO?,衬底的非极性m面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规非极性m面GaN材料质量较差的问题。其工艺步骤是：
　　（1）将γ面LiAlO?,衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；
　　（2）在γ面LiAlO?,衬底上生长厚度为30-100nm，温度为500-600℃的低温AlN成核层；
　　（3）在所述低温AlN成核层之...

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