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一种横向SOI功率器件

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明公开了一种横向SOI功率器件，包括半导体衬底，绝缘介质层和半导体有源层，在半导体有源层表面具有体区和漏区，体区和漏区之间有间距，形成器件的漂移区，在体区表面依次形成体接触区和源区，在绝缘介质层上设置有硅窗口，体区的底部在硅窗口中或通过硅窗口进入半导体衬底，体接触区的底部进入硅窗口；源区和体接触区的共同引出端为源电极。本发明有效的将体区引出，消除了Kink效应、寄生三极管效应、记忆效应等浮...
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