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一种结型场效应晶体管的制造方法

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种结型场效应晶体管的制作方法，属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中，栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层，制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷，会降低结型场效应晶体管的抗总剂量辐照效应能力。本发明提供的结型场效应晶体管的制造方法，在接触孔刻蚀之前，采用氢氟酸完全刻蚀掉原有的氧化层，然后重新生长氧化层，这样可以保证重新生成的更加致密、缺陷更少的高质量氧化层，从而提...
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