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一种JFET器件及其制造方法2

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在沟道中引入了电流浅槽辅助层（13）和电压浅槽辅助层（14），电流浅槽辅助层（13）和电压浅槽辅助层（14）位于P+栅区（1）两端并与P+栅区（1）相接，利用电流浅槽辅助层（13）来减弱沟道调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电流的变化率小，利用电压浅槽辅助层（14）和电流浅槽辅助层（13）共同作用来减...

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