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一种JFET器件及其制造方法

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件，其特征在于，所述P+栅极区1的结深为不均匀的，从靠近N+漏极区2的一端到靠近N+源极区3的一端P+栅极区1的结深逐渐增加。本发明的有益效果为，恒流特性较好，能够满足更小恒流精度的需求。本发明尤其适用于JFET器件及其制造。本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件...

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