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一种高压BCD半导体器件的制造方法

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种高压ＢＣＤ半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底；制备ＤＮＷ；制备场氧；制备Ｎ阱、Ｐ阱；制备栅及场板；制备ＮＳＤ；制备ＰＳＤ；退火；ＮＳＤ／ＰＳＤ推结；制备欧姆孔；形成金属层；制备钝化层；制备ＰＡＤ。通过本发明可以在同一芯片上制件高压ＪＦＥＴ、高压ｎＬＤＭＯＳ、中压ｎＬＤＭＯＳ、低压ＬＤＭＯＳ、低压ＣＭＯＳ、ＮＰＮ晶体三极管、Ｎ阱和Ｐ阱电阻...

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