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一种横向高压功率器件的结终端结构5

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁连接，延伸方向与直接结终端结构中N型漂移区2和P型埋层9内壁垂直方向都具有ɑ度夹角，ɑ度夹角为45度；这样可以有效缓解连接处电场的曲率效应。在连接处延伸方向的垂直方向，P型埋层9超出N型漂移区2距...
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