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一种功率半导体器件及其制造方法

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法。本发明的一种功率半导体器件，其特征在于将第一类高压nLDMOS器件1、第二类高压nLDMOS器件2、第三类高压nLDMOS器件3、第四类高压nLDMOS器件4、第五类高压nLDMOS器件5、第六类高压nLDMOS器件6、低压NMOS器件7、低压PMOS器件8和低压NPN器件9集成于同一芯片上。本发明的有益效果为，衬底10上实现...

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