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一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制作于P型衬底表面的P型外延层中，并通过P型外延层实现自隔离；在高压器件下方的P型衬底和P型外延层之间具有N型埋层，在低压器件下方的两侧P型外延层可有（或没有）N型埋层。本发明通...

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