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一种BCD器件及其制造方法

2016年

应用技术

成熟应用阶段

成果简介

　　一种BCD器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中，高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上，低压NMOS做在p型阱中，低压PMOS做在n型外延层中。由于p型降场层分别位于n型外延层和n型漂移区阱间，使得p型埋层上的n型外延层为高压器件提供了一...

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