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一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明属于半导体技术领域，具体涉及到一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件。本发明主的技术方案，与传统与固定电位连接的金属场板（如栅场板、漏场板以及源场板）相比，一方面，自偏置场板能削弱常规金属场板末端的电场尖峰，进一步优化器件表面电场的分布；更重要的是，自偏置场板的偏置电位可根据需要设定；因而，其提高器件耐压的效果更明显。另一方面，自偏置场板能增强对漂移区的辅助耗尽作用，高漂移区掺杂浓度以降...
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