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一种槽型纵向半导体器件的制造方法

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一种槽型纵向半导体器件的制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明通过刻蚀深槽、高温扩散、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种一种槽型纵向半导体器件的工艺制造。相对于已有的工艺，本发明的工艺方法有以下优点：第一，可以形成窄且高浓度P柱区或N柱区（即第二半导体漂移区），有利于降低导通电阻和缩小器件横向尺寸；第二，可以确保槽栅底部与体区下界面平齐或略低于体区下界...
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