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一种复合沟道MHEMT微波振荡器

2016年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　本发明涉及微波通信器件领域，具体涉及一种复合沟道GaAs 衬底变组分高电子迁移率晶体管（GaAs mHEMT）微波振荡器的制备方法。
　　本发明所要解决的技术问题是提供一种复合沟道GaAs 衬底变组分高电子迁移率晶体管微波振荡器的制备方法，其具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。微波振荡器包括GaAs半绝缘衬底层、500nm-...

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