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C、N掺杂型Ni-Cr埋入式薄膜电阻材料的制备、表征与电性能研究

2016年

应用技术

初期阶段

成果简介

　　埋入式电阻与传统电阻相比，可提高电子产品的电性能、节约电路板空间和降低成本，因此研究埋入式电阻材料的制备和性能已成为当今高密度电子封装材料研究与应用的热点问题之一。本文利用磁控溅射工艺制备出性能优良的C、N掺杂NiCr合金薄膜埋阻材料，并研究了薄膜的电性能，主要研究工作如下：
　　（1）系统研究了C、N掺杂NiCr合金埋阻材料的微观结构与电性能的关系，建立了溅射参数-薄膜微观结构...

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