首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

IW88.5X60X1.0低损耗磁片

2016年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　一、简要技术说明及主要技术性能指标
　　IW88.5X60X1.0低损耗磁片由RP95粉料制成，其主成分配方包括：53.52±0.1mol% Fe2O3 ，36.18±0.1 mol% MnO，10.30±0.1 mol% ZnO，辅助成分为0.02 wt% Nb2O5和0.02 wt%V2O5，具有高品质因子、高饱和磁通密度、低损耗等特性 ，适用于无线充电隔磁膜，且磁片长88.5...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统