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碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法

2016年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种碳化硅多孔陶瓷的低温烧成方法，所述方法包括：将氧化铝或其前驱体以及氧化硼或其前驱体作为所述烧成助剂的主要原料与碳化硅粉体混合均匀，压制成型制得素坯；以及所述素坯干燥后程序升温至1100～1400℃之间进行烧成，制得所述碳化硅多孔陶瓷。本发明的方法利用氧化铝或其前驱体以及氧化硼或其前驱体作为所述烧成助剂的主要原料，将其与碳化硅混合后进行烧成，利用烧成过程中原位产生的硼酸铝作为烧成助...
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