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原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法

2016年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：
　　（1）浆料制备：将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁；
　　（2）真空高压浸渍：将C纤维预制体浸入所述浆料中，于真空状态下保持0.1～1小时，然后通入高压惰性气体至1～10MPa，保压1～4小时；
　　（3）交联固化：将浸...

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