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碳化硅增强铝基复合材料的制备方法

2016年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　一种电子封装用碳化硅增强铝基复合材料的制备方法，先对碳化硅颗粒（SiCp）表面进行粗化、敏化、活性、解胶及烘干五步预处理，再用5～12.5 g/l的硫酸铜、10～20g/l的EDTA、5～15g/l的酒石酸钾钠、体积分数1.2～1.5%的甲醛及体积分数0.7～0.9%的甲醇的镀液，在pH值11～12.5、35～47℃的条件下，对SiCp表面镀铜，再采用无压渗透法制备SiCp体积分数为50～55...
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