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高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法

2016年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料包括碳化硅、通过原位反应产生而均匀分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制备中作为烧结助剂的碳化硼和碳，其中按重量计，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量为0.5～10质量%，碳化硼的含量为0.2～2.0质量%，碳的含量为0.5～2.0质量%。本发明提供的高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料通过原位反应引...
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