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利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法

2016年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，降温至800℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。本发明的方法具有变废为宝，直接避免了提...

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